Силсилаи як найчаи 1064nmAPD

Хусусиятҳои фотоэлектрикӣ (＠Ta＝22±3℃)

Модели

GD5210Y-3-500

GD5210Y-3-800

GD5211Y

Шакли баста

ТО-46

ТО-46

ТО-52

Диаметри сатҳи ҳассос (мм)

0,5

0,8

0,8

Диапазони вокуниши спектрӣ (нм)

400 ~ 1100

400 ~ 1100

400 ~ 1100

Дарозии мавҷи аксуламал (нм)

980

980

980

Ҷавобгарӣ

λ=905нм Φ=1μВт

М=100

58

58

58

λ=1064нм Φ=1μВт

М=100

36

36

36

Ҷараёни сиёҳ

M=100(нА)

маъмулӣ

2

4

10

Максимум

20

20

20

Вақти вокуниш λ=800nm ​​R1=50Ω(ns)

2

3

3.5

Коэффисиенти ҳарорати шиддати корӣ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)

2.2

2.2

2.2

Иқтидори умумии M=100 f=1MHz(pF)

1.0

1.5

3.5

Шиддати вайроншавӣ

IR=10μA(V)

Ҳадди ақал

220

220

350

Максимум

580

580

500