Силсилаи як найчаи 905nmAPD

Модели: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

Таҷҳизот як фотодиоди тармаи кремний мебошад, ки аксуламали спектралӣ аз нури намоён то наздики инфрасурх аст ва дарозии мавҷи аксуламал 905 нм аст.

Параметри техникӣ

Хусусиятҳои фотоэлектрикӣ (＠Ta＝22±3℃)
Модели		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Массив
Шакли баста		ТО-46	ТО-46	ТО-46	LCC3	LCC3	бастаи пластикӣ	бастаи пластикӣ	PCB
Диаметри сатҳи ҳассос (мм)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	фармоишӣ
Диапазони вокуниши спектрӣ (нм)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
Дарозии мавҷи аксуламал (нм)		905	905	905	905	905	905	905	905
Ҷавобгарӣ λ=905нм Φ=1μВт M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Ҷараёни торик M=100(nA)	маъмулӣ	0.2	0.4	0,8	0.2	0.4	0.2	0.4	Аз рӯи ҳассосият
Ҷараёни торик M=100(nA)	Максимум	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Як тараф
Вақти ҷавоб λ=905нм R1=50Ω(нс)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Мувофиқи сатҳи ҳассос
Коэффисиенти ҳарорати шиддати корӣ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Иқтидори умумии M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Мувофиқи сатҳи ҳассос
шиддати вайроншавӣ IR=10μA(V)	Ҳадди ақал	130	130	130	130	130	130	130	160
шиддати вайроншавӣ IR=10μA(V)	Максимум	220	220	220	220	220	220	220	200

гузашта: Силсилаи як найчаи 800nmAPD

Баъдӣ: Силсилаи як найчаи 1064nmAPD

Сохтори чипи пеши ҳавопаймо

Ҷавоби суръати баланд

Фоидаи баланд

Иқтидори пасти пайвастшавӣ

Садои паст

Андозаи массив ва сатҳи ҳассосро метавон фармоиш дод

Диапазони лазерӣ

Лидар

Огоҳии лазерӣ